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產(chǎn)品詳情

K4B2G1646F-BYMA組織為16Mbit x16 I / O x8 bank設(shè)備。對(duì)于一般應(yīng)用，該同步器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá)1866Mb / sec / pin（DDR3-1866）的高速雙倍數(shù)據(jù)速率傳輸速率。

該芯片的設(shè)計(jì)符合以下關(guān)鍵DDR3 SDRAM特性，例如發(fā)布的CAS，可編程CWL，內(nèi)部（自）校準(zhǔn)，使用ODT引腳的裸片終端和異步復(fù)位。所有控制和地址輸入都與一對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步。輸入被鎖存在差分時(shí)鐘的（CK上升和CK下降）。所有I / O都以源同步方式與一對(duì)雙向選通（DQS和DQS）同步。地址總線用于以RAS / CAS多路復(fù)用方式傳送行，列和存儲(chǔ)體地址信息。 DDR3器件采用1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V）單電源和1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V）VDDQ工作。K4B2G1646F-BYK0器件提供96球FBGA（x16）。

一般特性

·JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1.425V~1.575V）
·VDDQ = 1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1425V~1.575V）
·400MHz fCK，800Mb / sec /引腳，533MHz fCK，1066Mb / sec /引腳，667MHz fCK用于1333Mb / sec /引腳，800MHz fCK用于1600Mb / sec /引腳，933M HzfCK，1866lvMb / sec /引腳\|
·8Banks
·可編程CAS晚期（CAS）：5,6,7,8,9,10,11,13
·可編程附加延遲：0，CL-2或CL-1時(shí)鐘
·可編程CAS寫延遲（CWL）= 5（DDR3-800），6（DDR3-1066），7（DDR3-1333），8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）
·8位預(yù)取